Слова на букву П Полупарабола Полупиритная плавка Полуплоскость Полуподвал Полуподвальный этаж Полуприцеп Полупроводник бесщелевой вырожденный Полупроводниковая интегральная Полупроводниковые материалы приборы Полупроводниковый детектор диод лазер стабилитрон триод

На главную страницу К полному списку слов на букву П Предыдущая страница Следующая страница А Б В Г Д ЕеЁё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
Полупарабола * Полупиритная плавка * Полуплоскость * Полуподвал * Полуподвальный этаж * Полуприцеп * Полупроводник * Полупроводник бесщелевой * Полупроводник вырожденный * Полупроводниковая интегральная микросхема * Полупроводниковая интегральная схема * Полупроводниковые материалы * Полупроводниковые приборы * Полупроводниковый детектор частиц * Полупроводниковый диод * Полупроводниковый лазер * Полупроводниковый стабилитрон * Полупроводниковый триод *
Полупарабола - одна ветвь параболы. ♦ Полупара́бола
Полупиритная плавка - плавка в шахтных печах сернистых медно-пиритных (медно-колчеданных) руд, содержащих от 15 до 30% серы, в смеси с кварцем и известняком с добавкой кокса. Недостаток тепла от окисления пирита (по сравнению с пиритной плавкой) компенсируется теплом от сгорания кокса. Степень десульфурации при полупиритной плавке превышает 60%, поэтому штейны получаются с повышенным содержанием меди. ♦ Полупири́тная пла́вка
Полуплоскость - множество точек плоскости, лежащих по одну сторону от какой-либо прямой, принадлежащей этой плоскости. Координаты точек полуплоскости удовлетворяют неравенству: А⋅х + В⋅y + С > 0, где А, В и С - постоянные коэффициенты, причём А и В одновременно не равны нулю. ♦ Полупло́скость
Полуподвал, полуподвальный этаж, цокольный этаж - этаж здания, пол которого расположен ниже уровня земли не более чем на половину высоты своих помещений. ♦ Полуподва́л ♦ Полуподва́льный эта́ж ♦ Цо́кольный эта́ж
Полуприцеп - прицеп, опирающийся передней частью на опорно-сцепное устройство седельного тягача. ♦ Полуприце́п
Полупроводник - вещество, электропроводность которого при нормальных условиях имеет промежуточное значение между электропроводностью проводников и диэлектриков. От проводника отличается сильной зависимостью электрической проводимости от температуры и от концентрации примесей. Удельная электрическая проводимость полупроводника при комнатной температуре находится, как правило, в пределах от 10^-8 до 10⁴ См/м и резко возрастает при увеличении температуры. Полупроводником может быть кристаллическое, аморфное и жидкое вещество. К полупроводникам относятся некоторые химические элементы (кремний, селен, германий, теллур, фосфор, мышьяк и т. д.), большинство оксидов, селенидов, сульфидов и теллуридов, некоторые сплавы, многие минералы и т. д. ♦ Полупроводни́к
Полупроводник бесщелевой - полупроводник, у которого ширина запрещённой зоны равна нулю (касаются вершина валентной зоны и дно зоны проводимости). Бесщелевые полупроводники от металлов отличаются значительно меньшей плотностью электронного газа, а от типичных полупроводников - отсутствием энергетического порога для рождения электромно-дырочных пар. Наиболее типичные представители - серое олово α-Sn, сплавы Bi-Sb, Hg-Te, Hg-Se. ♦ Полупроводни́к бесщелево́й
Полупроводник вырожденный - полупроводник, с настолько высокой концентрацией примесей, что его собственные свойства проявляются слабо, а значительно проявляются свойства примесей. Носители заряда (электроны проводимости и дырки) в вырожденном полупроводнике подчиняются статистике Ферми — Дирака, а уровень Ферми лежит в зоне проводимости или в валентной зоне. В невырожденном полупроводнике, в котором концентрации носителей невелики и они подчиняются статистике Больцмана, уровень Ферми находится в запрещённой зоне. Вырожденные полупроводники получают легированием собственных полупроводников. ♦ Полупроводни́к вы́рожденный
Полупроводниковая интегральная микросхема, полупроводниковая интегральная схема - интегральная схема (микросхема), в которой все элементы (резисторы, конденсаторы, транзисторы и т. д.) и межэлементные соединения выполнены в объёме и на поверхности полупроводникового кристалла. Для подсоединения микросхемы к выводам корпуса на кристалле делается ряд контактных площадок. ♦ Полупроводнико́вая интегра́льная микросхе́ма ♦ Полупроводнико́вая интегра́льная схе́ма
Полупроводниковые материалы - вещества с чётко выраженными полупроводниковыми свойствами, применяющиеся для изготовления электронных приборов и устройств. Наиболее широко используются кристаллические полупроводниковые материалы: кремний, германий, арсенид галлия, фосфид индия и т. д. ♦ Полупроводнико́вые материа́лы
Полупроводниковые приборы - приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Используются для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний (транзистор, тиристор, полупроводниковый диод), преобразования одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрогенератор, солнечная батарея и т. д.), преобразования сигналов одного вида в другой (фотодиод, фоторезистор, оптрон, фототранзистор и т. д.), для преобразования изображений, измерения электрических и механических величин и т. д. Особый класс полупроводниковых приборов составляют интегральные полупроводниковые микросхемы, представляющие собой электронные устройства в виде единого блока, выполненного на поверхности полупроводникового кристалла. ♦ Полупроводнико́вые прибо́ры
Полупроводниковый детектор частиц - прибор для регистрации элементарных частиц, основным элементом которого служит кристалл полупроводника. Обычно используются кристаллы кремния и германия. Регистрируемая частица генерирует в полупроводнике дополнительные (неравновесные) электронно-дырочные пары, что создаёт импульс тока (сигнал) в электрической цепи, в которую включён кристалл. ♦ Полупроводнико́вый дете́ктор части́ц
Полупроводниковый диод - полупроводниковый двухэлектродный прибор с односторонней проводимостью. По конструктивно-технологическим особенностям полупроводниковые диоды делятся на плоскостные и точечные. Применяются для выпрямления переменного тока, генерирования и усиления электрических колебаний, преобразования частоты, детектирования модулированных колебаний, стабилизации напряжения, передачи импульсов в электронных устройствах, управления уровнем мощности в СВЧ линиях передачи. Имеют малые габаритные размеры, массу и потребляемую мощность, возможность управления параметрами в широких пределах и большой срок службы. Полупроводниковый диод является одним из основных электронных приборов. ♦ Полупроводнико́вый дио́д
Полупроводниковый лазер - лазер, в котором активной средой служит полупроводниковый кристалл. Имеет малые размеры, высокий коэффициент полезного действия (до 50%) и возможность спектральной перестройки. ♦ Полупроводнико́вый ла́зер
Полупроводниковый стабилитрон - предназначенный для стабилизации напряжения полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с некоторой точностью постоянным при изменении в определённом диапазоне протекающего через него тока. Рабочий участок вольтамперной характеристики полупроводникового стабилитрона находится в узкой области обратных напряжений, соответствующих электрическому пробою его р-n-перехода. ♦ Полупроводнико́вый стабилитро́н
Полупроводниковый триод, транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, выполненный на основе кристалла полупроводника, содержащего не менее трёх областей с чередованием различной проводимости (электронной и дырочной), и служащий для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. По устройству и способу управления током полупроводниковые триоды делятся на биполярные и полевые. ♦ Полупроводнико́вый трио́д ♦ Транзи́стор
Следующая страница Предыдущая страница
На главную страницу В начало страницы А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я