Политехнический словарь-справочник |
||
Диод * Диод вакуумный * Диод выпрямительный * Диод Ганна * Диод детекторный * Диод лавинный * Диод ламповый * Диод обращённый * Диод параметрический * Диод полупроводниковый * Диод светоизлучающий * Диод туннельный * Диод Шокли * Диод электровакуумный * Диод Эсаки * Диодная матрица * Диодный мост * Диодный тиристор * | ||
Диод- двухэлектродный электровакуумный, ионный (газоразрядный) или полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью. Диоды широко применяются для выпрямления переменного тока, детектирования электрических сигналов и переключения электрических цепей. В настоящее время в электрических и электронных технических устройствах наиболее широко используются полупроводниковые диоды.♦ Дио́д |
![]() | ![]() |
Диод выпрямительный- диод, предназначенный для преобразования переменного электрического тока в постоянный. В настоящее время наиболее широко применяются полупроводниковые выпрямительные диоды.♦ Дио́д выпрями́тельный |
![]() | ![]() |
Диод Ганна- полупроводниковый диод, действие которого основано на эффекте Ганна. Применяются диоды Ганна в основном для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний (колебаний с частотой от 0,1 до 100 ГГц).♦ Дио́д Га́нна |
![]() | ![]() |
Диод детекторный- диод, предназначенный для детектирования (демодуляции) сигнала.♦ Дио́д дете́кторный |
![]() | ![]() |
Диод лавинный- разновидность стабилитрона, работа которого основана на лавинном пробое p-n перехода при обратном включении. Применяется для защиты электрических цепей от перенапряжений.♦ Дио́д лави́нный |
![]() | |
Диод обращённый- полупроводниковый диод, в котором протекание тока обусловлено при обратном напряжении туннельным эффектом, а при прямом - только инжекционными процессами. Вольтамперная характеристика обращённого диода при обратном включении аналогична характеристике туннельного диода, поэтому обратные токи оказываются довольно большими при очень малых обратных напряжениях. При прямом напряжении вольтамперная характеристика аналогична прямой ветви вольт-амперной характеристики обыкновенного диода. Обращённый диод оказывает малое сопротивление току, проходящему в обратном направлении и сравнительно высокое прямому току, поэтому применяется, когда необходимо выпрямить очень слабые электрические сигналы величиной в малые доли вольта. При этом включается он в обратном направлении, что дало название - обращённый диод.На рисунке вольт-амперная характеристика обращённого диода. ♦ Дио́д обращённый |
![]() | |
Диод параметрический,
- полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости ёмкости от обратного напряжения. Применяются параметрические диоды в радиоэлектронных устройствах как элементы с управляемой ёмкостью.
|
![]() ![]() | |
Диод полупроводниковый- полупроводниковый двухэлектродный прибор c односторонней проводимостью. По конструктивно-технологическим особенностям полупроводниковые диоды делятся на плоскостные и точечные. Применяются для выпрямления переменного тока, генерирования и усиления электрических колебаний, преобразования частоты, детектирования модулированных колебаний, стабилизации напряжения, передачи импульсов в электронных устройствах, управления уровнем мощности в СВЧ линиях передачи. Имеют малые габаритные размеры, массу и потребляемую мощность, возможность управления параметрами в широких пределах и большой срок службы. Полупроводниковый диод является одним из основных электронных приборов.♦ Дио́д полупроводнико́вый |
![]() ![]() | |
Диод светоизлучающий,
- полупроводниковый диод, излучающий свет при пропускании через него тока в прямом направлении.
Излучение света основано на явлении инжекционной электролюминесценции, происходящей в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом или гетеропереходом либо контактом металл - полупроводник.
Светоизлучающие диоды испускают некогерентное излучение с узким спектром, который зависит от химического состава материала полупроводника. Яркость излучения большинства светодиодов составляет от 103 до 105 кд / м².
Преимущества светодиодов как источников света - высокая световая отдача (до 130 лм / Вт), механическая прочность, вибростойкость, малая инерционность, безопасность, а недостаток - высокая стоимость.
Широко используются русская аббревиатура СИД (светоизлучающий диод) и английская - LED (light-emitting diode).
|
![]() | |
Диод туннельный,
- полупроводниковый диод, использующий вырожденный полупроводник, туннельный эффект в котором вызывает появление на вольт-амперной характеристике участка отрицательной
дифференциальной проводимости при напряжении прямого направления. Создан впервые в 1957 году японским физиком Лео Эсаки. Имеет р-n-переход с очень малой
толщиной запирающего слоя (обычно от 5 до 15 нм). Изготавливается, как правило, на основе германия или арсенида галлия с большой концентрацией примесей.
Характеризуется малыми размерами и массой, широким диапазоном рабочих температур (до 200°C - германиевые и до 600°C - арсенид-галлиевые диоды) и высоким быстродействием.
Недостаток - низкая выходная мощность. Применяются туннельные диоды в усилителях и генераторах электрических колебаний с частотами до десятков ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
|
![]() ![]() | ![]() |
Диод электровакуумный,
- одна из разновидностей диодов в виде электронной лампы с двумя электродами (катод и анод). Характеризуется отсутствием обратного тока и выдерживает более высокие обратные напряжения, чем полупроводниковые и газоразрядные диоды.
Электровакуумные диоды делятся на низковольтные маломощные (обратное напряжение менее 2 кВ, выпрямленный ток до 0,4 А), высоковольтные маломощные (30 кВ, 0,002 А), высоковольтные импульсные (60 кВ, 100 А) и высоковольтные рентгеновские (220 кВ; 2 А).
С середины 20-го века бурное развитие полупроводниковой электроники привело, в частности, к вытеснению из многих областей применения электровакуумных диодов полупроводниковыми диодами, которые обладают большим коэффициентом полезного действия,
меньшими размерами и массой, более длительным сроком службы и более высокой надёжностью, а также меньшей стоимостью.
|
![]() | ![]() |
Диодная матрица- переключательная матрица, в узлах которой размещаются диоды.♦ Дио́дная ма́трица |
![]() | |
Диодный мост- электрическая мостовая схема, предназначенная для двухполупериодного выпрямления переменного тока, основными элементами (вентилями) которой служат диоды. Часто термин "диодный мост" используется по отношению к выпрямительным мостовым схемам, в которых вместо диодов используются вентили других типов - селеновые выпрямители, ртутные вентили, газотроны, тиратроны и т. д.♦ Дио́дный мост |
![]() | ![]() |
Диодный тиристор,
- полупроводниковый неуправляемый переключающий диод, имеющий структуру p-n-p-n, с выводами от крайних областей проводимости электрического тока. Функционирует как тиристор, но без управляющих электродов.
Имеет S-образную вольт-амперную характеристику (ВАХ), как и тиристор. Широко применяется в роли ключа в силовой полупроводниковой электронике.
|
![]() | ![]() |
Следующая страница Предыдущая страница | ||
|
||